Grijaći element silicijevog nitrida važna je vrsta visokotemperaturne konstrukcijske keramike. Ima karakteristike niskog koeficijenta toplinskog širenja, visoke tvrdoće, visokog modula elastičnosti, performansi toplinske temperature, kemijske stabilnosti i dobrih svojstava ruba. Osim toga, također je otporan na oksidaciju i koroziju. Prednosti čine da ima izglede za primjenu. Čisti silicijev nitrid ne apsorbira mikrovalnu energiju na sobnoj temperaturi. To je gotovo prozirna tvar u mikrovalnoj pećnici i za zagrijavanje se oslanja na vlastiti dielektrični gubitak. Ključ za sinteriranje je kako potaknuti da se uzorak jednoliko zagrije na temperaturu sinteriranja. Dielektrični gubitak silicij -nitridne keramike nije samo vrlo nizak, već se i ne mijenja mnogo s temperaturom, a njegova toplinska vodljivost nije dobra. Tijekom zagrijavanja vjerojatno neće doći do pucanja uzorka i stvaranja luka ili lokalnog pregrijavanja.
Kao sirovine upotrijebite prah α-Si3N4 visoke čistoće, kao pomoćno sredstvo za sinterovanje Al2O3, Y2O3, dodajte količinu 1, nakon miješanja upotrijebite alkohol kao medij, kuglasti mlin s kuglicom Al2O3 24 sata, osušite i raspršite, prethodno pritisnite prah s tlakom od 30 MPa a zatim upotrijebite 200MPa Pritisnite izostatički kako biste oblikovali uzorak od 24 × 12 (mm). Koristite 2,45 GHz, 6kW mikrovalnu pećnicu, brzina zagrijavanja 25 ℃/min; konvencionalno sinteriranje prihvaća sinterovanje bez tlaka u grafitnoj peći, sustav pečenja je isti kao i sinteriranje u mikrovalnoj pećnici, a svi se lože u atmosferi dušika.
Budući da je gubitak γ-Si3N4 u mikrovalovima vrlo mali pri niskim temperaturama, SiC je potreban kao grijaći element koji upija mikrovalne pećnice pri niskim temperaturama. Kad temperatura uzorka pređe kritičnu temperaturu od 1390 ° C, on će apsorbirati mikrovalne pećnice za stvaranje topline. Rezultati pokazuju da mikrovalovi mogu transformirati α-fazu u β-fazu α-Si3N4 brzinom i gustoćom. Uspoređujući skenirajuće elektronske mikrografije mikrovalnog sinteriranja i konvencionalnih uzoraka sinteriranja na 1750 ° C, prema istoj formuli i istom sustavu sinteriranja, u matrici mikrovalnog sinteriranog materijala nalaze se veće izdužene čestice te omjer i veličina čestica produžene čestice su oboje. Osim toga, konvencionalni sinterirani uzorak nema takav uzorak β-Si3N4 nalik na iglu čak i ako se čuva na 1725 ° C tijekom mikrovalnog sinteriranja, dok se konvencionalnim sinteriranjem na 1800 ° C ne može dobiti tako veliki broj igličastih uzoraka β-Si3N4.
